• 二次离子质谱仪QUAD4550
    **深度分辨率和**通量随着器件尺寸不断缩小,当今半导体的注入物剖面和层厚度通常在1-10纳米的范围内。SIMS 4550通过提供碰撞能量可从5keV降**低于150eV的氧和铯**密度**次离子束进行优化,充分满足上述应用**域的需求。灵活性CAMECA的SIMS 4550是**款动态SIMS工具,可在溅射条件(碰撞角度、能量、物种)方面提供全面的灵活性。在样品溅射过程中,通过电荷补偿(电子枪、激详细
  • 二次离子质谱IMS 7F-GEO
    实现**同位素比值再现性的独特检测系统IMS 7f-GEO在我们业经验证的IMS 7f仪器的基础上开发而成,配备新型、独特的检测系统,并结合了双法拉第杯探测器系统和电子倍增器。这种配置不仅缩短了采集时间,并且以拟双接收模式运行分析,确保了稳定同位素比值测量的亚千分比精密度。双法拉第杯系统与快速质量峰值切换系统(在**质量分辨率下可达到0.3秒)相结合,在精度和详细
  • 二次离子质谱仪SIMS 7F-AUTO
    用于解决多种分析问题的关键分析功能IMS 7f-Auto提供了具有**深度分辨率和**动态范围的深度剖析功能。**透射质谱仪与两种反应性**密度离子源(O2+和Cs+)相结合,从而提供**溅射速率和极低的检出限。独特的光学设计可实现直接离子显微镜和扫描探针成像。提**自动化和作业效率IMS 7f-Auto配有重新设计的同轴**次离子枪筒,可以更轻松、更快速地进行**次离子束调谐,并优详细
  • SIMS Workstation二次离子质谱仪
    **参数:质量数范围:300,510或1000amu分辨率:5%的谷,两个相连的等**峰。检测器:离子计数检测器,正、负离子检测检测限:1:10E7质量过滤器:三级过滤四极杆(9mm杆)主离子枪: A,氧离子或其它气体,能量到5KeV B,Ga离子枪,能量25KeV(选配)空间分辨率:A:100~150um B: 50nm取样深度:2个单分子层(静态) 不受限制(动态)主要特点:? **灵敏度脉冲离子计数检详细
  • PHI nanoTOF II飞行时间二次离子质谱仪
    TRIFT-V nanoTOF II(三次聚集飞行时间)二次离子质谱仪是超灵敏的表面分析**,可检测表面分子成分和分布,元素及其同位素。所有元素和同位素,包括氢都可以用飞行时间二次离子质谱分析。由初级脉冲离子束轰击样品表面所产生的二次离子,经飞行时间分析器分析二次离子的荷质比,从而得知样品表面信息。 PHI nanoTOF IITM是第五代SIMS仪器,该仪器具有独特的**飞行时间(TOF详细