离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的**，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，提**了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和精确控制等要求，已成为集成电路制造工艺中**不可少的关键装备。   

离子注入机通常由离子源、离子引入和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等组成。离子源是把需要注入的元素气态粒子电离成离子，决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或**频放电产生的电子作为轰击粒子，当外来电子的能量**于原子的电离电位时，通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外，还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子，再经过加速器获得较**能量，由四级透镜聚焦后进入靶室，进行离子注入。